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德國安思羅斯Anseros COM-VD大型臭氧發(fā)生器特點
ANSEROS安索羅斯臭氧發(fā)生器COM-VD系列是在低氧氣消耗量的氣相中,臭氧最高濃度可達到 300g O3/Nm3。
MEGAGEN系列臭氧發(fā)生器COM-VD能與ANSEROS安索羅斯AOPR反應器配合使用,其質量轉移效果非常好,可以將大量的臭氧轉換成液相,從而達到強力去除COD的目的。
臭氧發(fā)生器MEGAGEN COM-VD系列數(shù)據(jù)表
最高臭氧濃度
低耗氧量
低功耗
相關反應性高
低AOPR(高級氧化工藝)能耗
+ AOP(高級氧化技術)污水處理、去除COD
+ HOXON®廢水系統(tǒng), API廢水
+ 半導體加工(如晶圓清洗,電子元件臭氧清洗)
+ 除臭
+ 研發(fā)
+ 藥品生產(chǎn)
臭氧發(fā)生器在半導體晶圓清洗上的應用
晶圓清洗是目前半導體生產(chǎn)線上最重要、最嚴謹?shù)墓ば蛑?,在很多的清洗工序中,只要有一道工序達不到要求,就會導致征辟的芯片的報廢和流程不順暢,傳統(tǒng)的RCA清洗法需要大量的化學試劑,帶來了成本的增加以及均勻性不一致的問題,而臭氧是一種具有氧化性的氣體,把它溶解在超純水中,噴灑在晶圓表面,可以將表面的有機污染物氧化為二氧化碳和水,非常容易就可以去除表面有機物,同時還會在晶圓表面形成一層致密的氧化膜。因此德國ANSEROS安索羅斯臭氧發(fā)生器非常適合運用在半導體特別是晶圓清洗上。
類型 | 單位 | COM-VD-08 | COM-VD-16 | COM-VD-24 |
臭氧容量 | g O3 /h | 60 | 120 | 180 |
最大臭氧濃度 | g O3/Nm3 | 300 | 300 | 300 |
最小臭氧濃度 | g O3/Nm3 | 150 | 150 | 150 |
臭氧氣體壓力輸出 | bar (g) | <2.9 | ||
最小氧氣消耗量 | Nm3 /h | 0,2 | 0,4 | 0,6 |
電功率 | kW | 0,6 | 1,2 | 1,8 |
電源 | VAC /Hz | 230/50-60/1 phase | ||
能效 | kWh/kg O3 | 10 | 10 | 10 |
AOPR評級, 動力 | kg O3/(bar *h* m3H2O) | 10 ... 500 | ||
冷卻液,目標溫度 | m3 /h283 K | 0,1 | 0,2 | 0,3 |
外形尺寸 | mm | 高280*寬562*長603 mm | ||
標準重量 | kg | 41 | 50 | 62 |
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